[16p-P08-1~7] 6.1 Ferroelectric thin films

[16p-P08-5] Growth and Characterization of Heterovalent Ternary Nitride MgSiN₂ Thin Films with Wurtzite Structure

〇Sotaro Kageyama¹, Kazuki Okamoto¹, Yoshiomi Hiranaga², Yoshihiro Ueoka³, Masami Mesuda³, Hiroshi Funakubo¹ (1.Science Tokyo, 2.Tohoku Univ., 3.Tosoh Corp.)

Keywords:

Ferroelectric,Nitride,Piezoelectric

我々は、異原子価3元系窒化物の圧電体・強誘電体応用を開拓するため、MgSiN₂を検討した。Leeらは理論計算により、MgSiN₂はAlNよりもスイッチング障壁が小さく、絶縁破壊電界が大きいと予測している。本研究では、反応性スパッタリング法によってカチオンがランダムにカチオンサイトを占めるウルツ鉱構造をもつc軸配向したMgSiN₂エピタキシャル膜を作製し、成膜温度が組成や結晶構造に及ぼす影響を調べた。