講演情報
[16p-P08-5]ウルツ鉱構造異原子価3元系窒化物MgSiN2薄膜の作製と評価
〇影山 壮太郎1、岡本 一輝1、平永 良臣2、上岡 義弘3、召田 雅実3、舟窪 浩1 (1.東京科学大、2.東北大、3.東ソー)
キーワード：
強誘電体、窒化物、圧電体
我々は、異原子価3元系窒化物の圧電体・強誘電体応用を開拓するため、MgSiN2を検討した。Leeらは理論計算により、MgSiN2はAlNよりもスイッチング障壁が小さく、絶縁破壊電界が大きいと予測している。本研究では、反応性スパッタリング法によってカチオンがランダムにカチオンサイトを占めるウルツ鉱構造をもつc軸配向したMgSiN2エピタキシャル膜を作製し、成膜温度が組成や結晶構造に及ぼす影響を調べた。