[16p-P09-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

[16p-P09-1] Effect of boron doping on the crystal structure of (001) diamond films heteroepitaxially grown on Ir/sapphire substrates

〇Shoei Shinozaki¹, Osamu Maida¹, Kouki Mochizuki¹, Seong-Woo Kim², Jeffery Ang², Akira Sada², Hiroshi Tabata¹, Mitsuhiro Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.Orbray Co., Ltd.)

Keywords:

diamond

ダイヤモンド半導体デバイスの実用化に向けて大面積かつ導電性が制御された結晶が求められている。本研究では大面積なp型ダイヤモンド作製を目指し、Ir/sapphire基板上に(001)ホウ素ドープダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させ、その結晶構造にホウ素ドーピングが及ぼす影響についてラマン分光測定、X線ロッキングカーブ測定等で評価した。