[16p-P09-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[16p-P09-1] Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャル成長(001)ダイヤモンド膜中のホウ素が結晶構造に及ぼす影響

〇篠崎 照英¹、毎田 修¹、望月 梧生¹、金 聖祐²、アン ジェフリ²、佐田 晃²、田畑 博史¹、片山 光浩¹ (1.阪大院工、2.Orbray(株))

キーワード：

ダイヤモンド

ダイヤモンド半導体デバイスの実用化に向けて大面積かつ導電性が制御された結晶が求められている。本研究では大面積なp型ダイヤモンド作製を目指し、Ir/sapphire基板上に(001)ホウ素ドープダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させ、その結晶構造にホウ素ドーピングが及ぼす影響についてラマン分光測定、X線ロッキングカーブ測定等で評価した。