[16p-P10-1~10] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[16p-P10-2] In Situ Formation and Characterization of a Small Number of Oxygen Vacancies in Metal Oxide Semiconductors by Near-Ambient Pressure Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

Masaki Nakamura¹, Hirosuke Sumida², 〇Satoru Suzuki¹ (1.Univ. of Hyogo, 2.Mazda Motor Corp.)

Keywords:

SnO2,WO3,HAXPES

本研究では準大気圧硬X線光電子分光 (NAP-HAXPES)を用い、還元性ガス雰囲気中でSnO₂およびWO₃中に酸素欠損をその場生成した。酸素欠損量はSnとWの内殻光電子スペクトルでは検出できないほどの微量であった。しかし、その微量な酸素欠損の影響を価電子帯スペクトルに観測することができた。また観測したスペクトル強度から欠損量の見積もりを行った。