講演情報
[16p-P10-2]金属酸化物半導体の微量酸素欠損の準大気圧硬X線光電子分光によるその場生成と評価
中村 雅基1、住田 弘祐2、〇鈴木 哲1 (1.兵県大高度研、2.マツダ（株）)
キーワード：
SnO2、WO3、HAXPES
本研究では準大気圧硬X線光電子分光 (NAP-HAXPES)を用い、還元性ガス雰囲気中でSnO2およびWO3中に酸素欠損をその場生成した。酸素欠損量はSnとWの内殻光電子スペクトルでは検出できないほどの微量であった。しかし、その微量な酸素欠損の影響を価電子帯スペクトルに観測することができた。また観測したスペクトル強度から欠損量の見積もりを行った。