[16p-P10-1~10] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[16p-P10-4] Phase Diagram for the Oxidation Reaction of the SiC Surface

Ryoya Katayama¹, Shota Ito¹, 〇Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:

SiC,Thermal Oxidation,XPS

SiC基板表面の熱酸化は、Si基板表面と同様に、SiO₂膜が形成されるpassive領域とSiO₂膜が形成されずSiのエッチング・脱離反応が生ずるactive領域に分かれることが知られている。さらにSiC表面は、C原子の振る舞いの違いにより、active領域においてSiの脱離とCの表面堆積が生ずる領域1、SiとCがともに脱離する領域2、passive領域においてSiO₂膜が形成されCは脱離する領域3、SiO₂膜が形成されCも基板に残る領域4が存在することが理論的に予想されている。そこで本研究は、これら領域の存在の実験的検証を行った。その結果、SiC(0001)Si面では領域2が見られないが、(000-1)C面では狭い酸化条件ではあるが領域2が存在することがわかった。