講演情報
[16p-P10-4]SiC表面酸化反応の相図
片山 遼耶1、伊東 翔太1、〇遠田 義晴1 (1.弘前大院理工)
キーワード：
SiC、熱酸化、XPS
SiC基板表面の熱酸化は、Si基板表面と同様に、SiO2膜が形成されるpassive領域とSiO2膜が形成されずSiのエッチング・脱離反応が生ずるactive領域に分かれることが知られている。さらにSiC表面は、C原子の振る舞いの違いにより、active領域においてSiの脱離とCの表面堆積が生ずる領域1、SiとCがともに脱離する領域2、passive領域においてSiO2膜が形成されCは脱離する領域3、SiO2膜が形成されCも基板に残る領域4が存在することが理論的に予想されている。そこで本研究は、これら領域の存在の実験的検証を行った。その結果、SiC(0001)Si面では領域2が見られないが、(000-1)C面では狭い酸化条件ではあるが領域2が存在することがわかった。