[16p-P12-1~6] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-P12-2] The growth orientation of Mg₂Si crystals grown by the Bridgman method from a flat-bottomed pBN crucible

〇Kotaro Tetsu¹, Kosuke Shimano¹, Yusei Kimura¹, Zenji Fujihisa¹, Shunya Sakane¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:

Mg2Si,Bridgman method

Mg₂Siは室温でのエネルギーギャップが約0.61 eVで短波長赤外光を受光可能であることから赤外線受光材料として期待されている。これまで我々は、坩堝底面が円錐状の坩堝で種結晶を使わずに成長させたMg₂Si単結晶の優先成長方位が<110>方向に近い範囲に分布することを報告している。最近の結晶成長では、坩堝底面が平坦である坩堝を用いた成長を行っており、こちらの結晶の成長方位については調査をしていなかったので今回報告する。