講演情報
[16p-P12-2]平底pBN坩堝からブリッジマン成長したMg2Si結晶の結晶成長方位
〇鉄 幸多朗1、島野 航輔1、木村 侑生1、藤久 善司1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨大工)
キーワード：
Mg2Si、ブリッジマン法
Mg2Siは室温でのエネルギーギャップが約0.61 eVで短波長赤外光を受光可能であることから赤外線受光材料として期待されている。これまで我々は、坩堝底面が円錐状の坩堝で種結晶を使わずに成長させたMg2Si単結晶の優先成長方位が<110>方向に近い範囲に分布することを報告している。最近の結晶成長では、坩堝底面が平坦である坩堝を用いた成長を行っており、こちらの結晶の成長方位については調査をしていなかったので今回報告する。