[16p-P12-1~6] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-P12-3] Evaluation of the electrical properties of large-scale single crystals of Sn substituted (InGaO₃)(ZnO)

〇(M2)Ryotaro Kokai¹, Momoka Hirai¹, Takumi Takahashi¹, Tadahito Inoue¹, Yuto Uruma¹, Naoki Kase¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci)

Keywords:

IGZO,TCO,Large-scale bulk single crystal

透明導電性酸化物として知られる(InGaO₃)_m(ZnO)_nにSn, Znを置換した[In_1-2x Sn_x Zn_x]GaO₃(ZnO)系材料の電気特性を明らかにした。置換型試料は酸素アニールにより10¹⁷cm^-3までキャリア密度を減少することができた。これは母物質の(InGaO₃)(ZnO)単結晶の10¹⁸cm^-3を大きく下回る値であり、置換効果により酸素欠陥の制御性が向上することが示唆された。