講演情報
[16p-P12-3]Sn置換型(InGaO3)(ZnO)大型単結晶の電気特性評価
〇(M2)小海 稜太郎1、平井 萌々香1、高橋 拓海1、井上 禎人1、漆間 由都1、加瀬 直樹1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
キーワード：
イグゾー、透明酸化物半導体、大型バルク単結晶
透明導電性酸化物として知られる(InGaO3)m(ZnO)nにSn, Znを置換した[In1-2x Snx Znx]GaO3(ZnO)系材料の電気特性を明らかにした。置換型試料は酸素アニールにより1017cm-3までキャリア密度を減少することができた。これは母物質の(InGaO3)(ZnO)単結晶の1018cm-3を大きく下回る値であり、置換効果により酸素欠陥の制御性が向上することが示唆された。