[16p-P12-1~6] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-P12-4] Growth of large single crystals of InGaO₃(ZnO)_n in high-pressure atmosphere and evaluation of their physical properties

〇(M1)Momoka Hirai¹, Ryotaro Kokai¹, Yuki Yamazaki¹, Takumi Takahashi¹, Tadahito Inoue¹, Isamu Shindo², Shinji Kimura², Takashi Watanabe², Naoki Kase¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci, 2.Crystal Systems Corp.)

Keywords:

IGZO,FZ,TCO

5,10 MPaの圧力下においてFZ法によるInGaO₃(ZnO)_n系材料の大型単結晶の育成に成功した。結晶はXRDの結果から不純物の無い単相であることが判明した。移動度は、キャリア密度が増加するにつれて移動度が減少する傾向が見られた。これは0.9 MPaで育成されたIGZO-1n系材料とは異なる結果であり、圧力効果が電気輸送特性に大きな影響を与えることが示唆された。