[16p-P12-1~6] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-P12-4] 高圧雰囲気でのInGaO₃(ZnO)_nの大型単結晶育成と物性評価

〇(M1)平井 萌々香¹、小海 稜太郎¹、山崎 優樹¹、高橋 拓海¹、井上 禎人¹、進藤 勇²、木村 伸二²、渡辺 崇司²、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大先進工、2.(株)クリスタルシステム)

キーワード：

イグゾー、浮遊帯域溶融法、透明酸化物半導体

5,10 MPaの圧力下においてFZ法によるInGaO₃(ZnO)_n系材料の大型単結晶の育成に成功した。結晶はXRDの結果から不純物の無い単相であることが判明した。移動度は、キャリア密度が増加するにつれて移動度が減少する傾向が見られた。これは0.9 MPaで育成されたIGZO-1n系材料とは異なる結果であり、圧力効果が電気輸送特性に大きな影響を与えることが示唆された。