[16p-P15-1~8] 13.9 Compound solar cells

[16p-P15-1] Investigation of annealing conditions for forming Germanium-on-Nothing structures

〇(M2)Wenbo Fan^1,2, Ryuji Oshima², Yasushi Shoji², Takeyoshi Sugaya², Shuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ., 2.AIST)

Keywords:

Germanium,Substrate reuse,Cost reduction

Germanium-on-Nothing (GON) 基板再利用技術はIII-V太陽電池のコスト低減策として注目されている。これまでに、Ge基板上でホールパターンの異方性エッチングを報告した。今回はGON構造形成過程におけるアニール温度の詳細を検討した。 その結果、870°Cでアニールした時、[-110]方向のボイドが繋がらなかったが、[110]方向ではボイドが融合した。890°Cでは柱状のGeが一部残存し、910°Cでは完全なGON構造が得られた。本結果により890°C以上のアニール温度が必要であることを見出した。