[16p-P15-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[16p-P15-1] Germanium-on-Nothing構造形成のためのアニール条件の検討

〇(M2)范 文博^1,2、大島 隆治²、庄司 靖²、菅谷 武芳²、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大学、2.産総研)

キーワード：

ゲルマニウム、基板再利用、コスト低減

Germanium-on-Nothing (GON) 基板再利用技術はIII-V太陽電池のコスト低減策として注目されている。これまでに、Ge基板上でホールパターンの異方性エッチングを報告した。今回はGON構造形成過程におけるアニール温度の詳細を検討した。 その結果、870°Cでアニールした時、[-110]方向のボイドが繋がらなかったが、[110]方向ではボイドが融合した。890°Cでは柱状のGeが一部残存し、910°Cでは完全なGON構造が得られた。本結果により890°C以上のアニール温度が必要であることを見出した。