[17a-K103-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K103-7] Low Temperature Phosphorus Diffusion in n/n⁺ Silicon Epitaxial Wafers

〇Shinsaku Kawabata¹, Shinya Sato¹ (1.TDSC)

Keywords:

Silicon,Diffusion,Phosphorus

シリコンパワーデバイスの低耐圧MOSFET は、環境負荷低減のため更なる素子抵抗の低減が要求されており、基板抵抗の低減のため高濃度燐ドープ基板（赤燐基板）を用いる傾向にある。活性層であるエピタキシャル層の比抵抗分布は素子特性に大きな影響を与えるため、基板からの燐の拡散挙動を把握しておくことは重要である。以前、我々は高濃度燐ドープ基板からエピタキシャル層中への燐拡散に着目し、低温熱処理がその後の高温での拡散に与える影響について報告した。今回、我々は700℃以下の低温熱処理下における燐の拡散挙動に着目し、イオン注入による燐ドープ層で報告されている低温拡散挙動（tail diffusiondiffusion）が、高濃度燐ドープ基板からエピタキャシャル層への燐拡散においても確認することが出来たので報告する。