[17a-K202-1~9] 13.3 Insulator technology

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K202-2] Two Types of Fixed Charge Generation in MOSFET Degradation at Cryogenic Temperatures

〇Yohei Miyaki¹, Tatsuya Suzuki¹, Yuichiro Mitani¹ (1.Tokyo City Univ.)

Keywords:

reliability,interface trap,fixed charge

絶縁膜界面に存在する終端水素の放出及び拡散によって、界面準位と固定電荷が生成され、トランジスタ絶縁膜の劣化が引き起こされる。しかし、水素拡散が抑制される極低温下におけるトランジスタの劣化メカニズム及び固定電荷生成の温度依存性は十分に解明されていない。そのため、本研究ではチャネルホットキャリア(CHC)ストレス及びFowler-Nordheim(F-N)ストレスにおいて、界面準位生成量と固定電荷生成量の相関を調べた。その結果から、生成固定電荷には2種類あること、そして測定温度の低下とともに固定電荷生成位置がMOS界面に近づくという温度依存性を示唆する結果を得たので報告する。