[17a-K310-1~9] 15.1 Bulk crystal growth

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[17a-K310-5] Relationship between Ge/B ratio and segregation of B in B and Ge codoped Si crystal growth

〇LEI ZHU¹, Shoma Tsukada¹, Hiroki Tsukada¹, Rintaro To¹, Takeshi Hoshikawa¹, Tosinori Taishi¹ (1.Shinshu Univ)

Keywords:

Si crystal growth,B and Ge codoping,segregation coefficient

本研究では、BとGeの比を変えてSi単結晶育成を行い、結晶中のBとGeの比（Ge/B）とBの偏析係数の関係について検討した。B濃度5×10¹⁸cm^-3のSi単結晶育成を目標とした。Ge充填量はB濃度に対して0、2、5.8倍となるようにした。実際の結晶中のGe/B比は目標値に比べてBの割合が小さいことから、Si結晶中にGeが添加されることにより、結晶中にBが偏析しにくくなることが示された。