[17a-K310-1~9] 15.1 バルク結晶成長

10:30 〜 10:45

[17a-K310-5] B,Ge共添加Si単結晶育成におけるGe/B比とBの偏析係数の関係

〇朱 蕾¹、塚田 翔馬¹、塚田 大喜¹、藤 倫太郎¹、干川 岳志¹、太子 敏則¹ (1.信州大工)

キーワード：

Si結晶成長、B、Ge共添加、偏析係数

本研究では、BとGeの比を変えてSi単結晶育成を行い、結晶中のBとGeの比（Ge/B）とBの偏析係数の関係について検討した。B濃度5×10¹⁸cm^-3のSi単結晶育成を目標とした。Ge充填量はB濃度に対して0、2、5.8倍となるようにした。実際の結晶中のGe/B比は目標値に比べてBの割合が小さいことから、Si結晶中にGeが添加されることにより、結晶中にBが偏析しにくくなることが示された。