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[17a-P01-9]Growth temperature dependence of surface area of InP nanowire by self-catalytic VLS mode

〇Yuya Sakiyama1, Fuka Sugita1, Kazuhiko Shimomura1 (1.Sophia Univ.)

Keywords:

semiconductor,nanowire

人工葉による光-水素エネルギー変換素子に用いる太陽電池において、われわれはナノワイヤ構造を導入することで表面積を増加させ、変換効率の向上を目指している。本報告では、MOVPEによる自己触媒VLS法を用いたInPナノワイヤ表面積の、成長温度依存性について述べる。

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