[17p-K103-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[17p-K103-9] Analysis of wafer in-plane variation factors in Minimal Fab

〇Hiroyoshi Hongoh¹, Shuichi Noda¹, Noriko Miura¹, Shinichi Ikeda¹, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.Hundred)

Keywords:

minimalfab,yield

ミニマルファブで作製デバイスには、ウェハ中心に比べて外側ではトランジスタのドレイン電流が低下する傾向があった。ドーピングの不均一性がその一つの要因と解明されて，日々進めたプロセスの改善により，ドーピング以外の要因が検討できるようになった。
今回は、ウェハの全体の99か所に配置したTEGから、トランジスタ特性、抵抗特性、キャパシタンスを測定・解析し、ドレイン電流の変動量の47%を占めたキャパシタンスの変動量を決定づけるゲート熱酸化の面内均一性について報告する。