[17p-K305-1~12] 3.13 Silicon photonics, Photonics-electronics convergence, Optical control

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[17p-K305-6] InP Epitaxial Film Integration on SiO2/Si substrate by Crystal Film Bonding toward Photonic Integrated Circuit

Nobuhiko Nishiyama¹, 〇Hironori Furuta², Yoshitaka Oiso¹, Suguru Yoshida¹, Moataz Eissa¹, Kenichi Tanigawa², Takahito Suzuki², Hideaki Okayama², Daisuke Shimura² (1.Institute of Science Tokyo., 2.Oki Electric Industry Co., Ltd.)

Keywords:

heterogeneous integration

Crystal Film Bonding（CFB）技術は、信頼性の高い異種材料集積であり、薄膜をシリコンプラットフォームに接合することが可能である。この技術を用いて、CMOS-IC上にLEDアレイを集積したチップをプリンターに搭載し、1,000億個以上のLED素子を出荷している。今回は、通信波長域用光集積回路のために、InP系材料にCFB技術を適用したので報告する。