[17p-K308-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K308-12] Phase change behavior and electrical properties of VCrN thin film

〇(DC)WeiChiao Chang¹, Yi Shuang^1,2, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1.Tohoku Univ. ENG, 2.Tohoku Univ. AIMR)

Keywords:

Phase Change Memory,Phase Change Material,Nitride Thin Film

相変化メモリ(PCRAM)は相変化材料(PCM)の結晶構造の変化により情報記録を行うデバイスである。CrNをPCMとして、結晶-結晶相変化を示した。そのため、アモルファス相-結晶相変化を有するGe-Sb-Te(GST)などの伝統的なPCMより消費エネルギーが減少することが分かった。本研究では、VをCrNに添加し、VCrN PCRAMについて電気特性を評価したうえで、さらに省エネルギー化することを目的とした。