[17p-K308-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[17p-K308-12] VCrN薄膜の相変化挙動と電気特性

〇(DC)張 惟喬¹、双 逸^1,2、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,2 (1.東北大工、2.東北大AIMR)

キーワード：

相変化メモリ、相変化材料、窒化物薄膜

相変化メモリ(PCRAM)は相変化材料(PCM)の結晶構造の変化により情報記録を行うデバイスである。CrNをPCMとして、結晶-結晶相変化を示した。そのため、アモルファス相-結晶相変化を有するGe-Sb-Te(GST)などの伝統的なPCMより消費エネルギーが減少することが分かった。本研究では、VをCrNに添加し、VCrN PCRAMについて電気特性を評価したうえで、さらに省エネルギー化することを目的とした。