[17p-K308-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[17p-K308-7] Crystallization promotion of an amorphous silicon film by FLA on an AIC-formed seed crystal layer

〇(M2)Baitong Li¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

FLA

AICで形成された種結晶層上における、FLAによる異なるプレヒート条件でのa-Si膜の結晶化を実施した。300℃以上のプレヒート条件でa-Siの結晶化が可能であり、また、結晶化後に試料表面に見られる波紋状の構造から横方向結晶化速度を導出したところ、種結晶層の利用により結晶化速度が向上することが明らかになった。