[17p-K308-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K308-8] Changes in Physical Properties of V-Te Thin Film during Phase-change

〇(M1)Shuhei Orihara¹, Yi Shuang^1,2, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1.Tohoku Univ. (Eng), 2.Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

thin film,phase-change,V-Te

MnTeは、異なる結晶相間の可逆的な相変化による抵抗スイッチングが可能である。本研究では、MnTeと同様の遷移金属テルライドであるV-Te二元系薄膜をマグネトロンスパッタリングによって成膜し、相変化挙動と相変化に伴う物性変化を調査した。成膜ままはアモルファス相であり、熱処理によりV₃Te₄相を介して、V₅Te₈相に相変化した。相変化に伴う物性変化は他の相変化材料と比較して小さいことが確認された。