[17p-K310-1~2] 15.2 II-VI and related compounds

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[17p-K310-2] Improvement of AgGaTe₂ solar cell performance by improving Mo-AgGaTe₂ interface state.

〇Tatsuya Sasaki¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ., 2.Waseda Inst.)

Keywords:

solar cell,chalcopyrite,close-space sublimation method

近接昇華法によってAgGaTe₂薄膜を作製し、それを使用して太陽電池を作製している。熱的ダメージを抑えるために近接昇華法における昇華時間を15分に固定し、ソース原料量の増加によりGaの十分な拡散量を確保することで太陽電池特性の改善を目指した。Gaの拡散量は増加しなかったが、XRDθ-2θ測定におけるAgGaTe₂由来の回折強度が強くなり、太陽電池特性が向上して、E_ff=2.48[%]を記録した。