[17p-K310-1~2] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

13:45 〜 14:00

[17p-K310-2] Mo-AgGaTe₂界面状態の改善によるAgGaTe₂太陽電池の性能向上

〇佐々木 達也¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：

太陽電池、カルコパイライト、近接昇華法

近接昇華法によってAgGaTe₂薄膜を作製し、それを使用して太陽電池を作製している。熱的ダメージを抑えるために近接昇華法における昇華時間を15分に固定し、ソース原料量の増加によりGaの十分な拡散量を確保することで太陽電池特性の改善を目指した。Gaの拡散量は増加しなかったが、XRDθ-2θ測定におけるAgGaTe₂由来の回折強度が強くなり、太陽電池特性が向上して、E_ff=2.48[%]を記録した。