[17p-Y1311-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[17p-Y1311-4] Evaluation of line shaped voids in β-Ga₂O₃ grown by the vertical Bridgman method

〇(M1C)Ukyo Miyagi¹, Toshinori Taishi¹, Keigo Hoshikawa¹ (1.Shinshu Univ.)

Keywords:

β-Ga₂O₃

本研究では、β-Ga₂O₃単結晶中の線状ボイドおよびその体積密度を光波動場三次元顕微鏡を用いて評価した。VB法で育成した(001)β-Ga₂O₃単結晶から得た(100)劈開面の直方体の試料を用意した。劈開試料内部を非破壊で観察するために、大塚電子の光波動場三次元顕微鏡MINUKを用いて欠陥の観察を行った。その結果、線状ボイドの体積密度は平均7.3x10⁵個/cm³であることが分かった。