[15a-M_124-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[15a-M_124-1] Layer-Dependent Transport in Two-Layer Vertically Stacked Silicon Quantum Dots via Substrate Bias

〇(D)Junoh Kim¹, Daiki Futagi¹, Tomoko Mizutani¹, Takuya Saraya¹, Hiroshi Oka², Takahiro Mori², Masaharu Kobayashi¹, Toshiro Hiramoto¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.AIST)

Keywords:

Quantum dot

本講演では垂直積層した二層シリコン量子ドットデバイスの作製と低温輸送特性の評価結果を報告する。T＝4 K において上層と下層の量子ドットの両方で明瞭なクーロンブロッケードが観測され、各層において単一量子ドット形成を実証した。特に基板バイアスを制御することで下層チャネルの選択的変調が可能となり、層別の電気的アドレッシングが実現できることを実験的に明らかにした。