[15a-M_124-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:15

[15a-M_124-1] 基板バイアスによる二層積層シリコン量子ドットの層依存輸送特性

〇(D)金 駿午¹、二木 大輝¹、水谷 朋子¹、更屋 拓哉¹、岡 博史²、森 貴洋²、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研)

キーワード：

量子ドット

本講演では垂直積層した二層シリコン量子ドットデバイスの作製と低温輸送特性の評価結果を報告する。T＝4 K において上層と下層の量子ドットの両方で明瞭なクーロンブロッケードが観測され、各層において単一量子ドット形成を実証した。特に基板バイアスを制御することで下層チャネルの選択的変調が可能となり、層別の電気的アドレッシングが実現できることを実験的に明らかにした。