[15a-PB1-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[15a-PB1-6] Characterization of layered thin films with oxide semiconductor in depth direction

〇Yusaku Tanahashi¹, Tomohiro Sakata¹, Yasufumi Kuwauchi¹, Shingo Ogawa¹, Hirofumi Seki¹, Kota Sakai², Masaharu Kobayashi² (1.Toray Research Center, Inc., 2.University of Tokyo)

Keywords:

oxide semiconductor,thin film,Characterization

酸化物半導体トランジスタの構造は各層が数nmの極薄積層膜であり、膜質や界面状態の違いが電気特性に与える影響は小さくないため、積層薄膜の深さ方向膜質評価は重要であると考えられる。今回報告する試料は、原子層堆積法で成膜した酸化物半導体InGaO_x (IGO)をHfO₂膜で挟んだ積層膜と、それを300 ℃大気下でアニール処理し、IGO層を結晶化したものであり、AR-XPSやSTEM-EDXの結果よりIGO層中の組成変化や界面でのO原子減少などが示唆された。