講演情報
[15a-PB1-6]酸化物半導体を有する積層薄膜の深さ方向膜質評価
〇棚橋 優策1、坂田 智裕1、桑内 康文1、小川 慎吾1、関 洋文1、坂井 洸太2、小林 正治2 (1.東レリサーチセンター、2.東大生技研)
キーワード：
酸化物半導体、薄膜、分析評価
酸化物半導体トランジスタの構造は各層が数nmの極薄積層膜であり、膜質や界面状態の違いが電気特性に与える影響は小さくないため、積層薄膜の深さ方向膜質評価は重要であると考えられる。今回報告する試料は、原子層堆積法で成膜した酸化物半導体InGaOx (IGO)をHfO2膜で挟んだ積層膜と、それを300 ℃大気下でアニール処理し、IGO層を結晶化したものであり、AR-XPSやSTEM-EDXの結果よりIGO層中の組成変化や界面でのO原子減少などが示唆された。