Presentation Information
[15a-PB2-12]Influence of Internal Gate Inductance in Cascode GaN-HEMT
〇Toshihide Ide1, Ryosaku Kaji1, Katsumi Furuya1 (1.AIST)
Keywords:
GaN,Switching,Inductance
GaNスイッチング素子はMHz級の高速スイッチング素子として有用だがノーマリーオン素子となるのが一般的である。他のノーマリーオフ素子と組み合わせたカスコード接続GaN-HEMTは安定的なスイッチング特性、しきい値電圧の制御、ゲート駆動の容易という長所があるが、実装する際に配線のインダクタンスが問題となる。本研究ではカスコードGaN-HEMTにおける内部インダクタンスとスイッチング波形の相関について調べたので報告する。