講演情報
[15a-PB2-12]カスコード接続GaN-HEMTにおける内部ゲートインダクタンスの影響
〇井手 利英1、鍛冶 良作1、古屋 克己1 (1.産総研)
キーワード：
GaN、スイッチング、インダクタンス
GaNスイッチング素子はMHz級の高速スイッチング素子として有用だがノーマリーオン素子となるのが一般的である。他のノーマリーオフ素子と組み合わせたカスコード接続GaN-HEMTは安定的なスイッチング特性、しきい値電圧の制御、ゲート駆動の容易という長所があるが、実装する際に配線のインダクタンスが問題となる。本研究ではカスコードGaN-HEMTにおける内部インダクタンスとスイッチング波形の相関について調べたので報告する。