Presentation Information
[15a-PB2-2]Atomic layer doping process for SiC semiconductor interface control
〇Tetsuya Ueno1,2, Masao Sakuraba1,2, Sigeo Sato1,2, Seima Sato1,2 (1.Tohoku Univ., 2.RIEC)
Keywords:
4H-SiC,Plasma CVD,Atomic layer doping
SiCは高耐圧パワートランジスタの新材料として注目され、優れた特性により小型化や省電力化が期待されるが、界面での電子移動度低下が課題である。本研究では、移動度向上を目的にプラズマCVDを用いたSiO2/SiC界面への原子層導入を試みた。