講演情報
[15a-PB2-2]SiC半導体界面制御のための原子層ドーピングプロセスに関する研究
〇上野 哲弥1,2、櫻庭 政夫1,2、佐藤 茂雄1,2、佐藤 盛磨1,2 (1.東北大院工、2.東北大通研)
キーワード：
4H-SiC、プラズマCVD、原子層ドーピング
SiCは高耐圧パワートランジスタの新材料として注目され、優れた特性により小型化や省電力化が期待されるが、界面での電子移動度低下が課題である。本研究では、移動度向上を目的にプラズマCVDを用いたSiO2/SiC界面への原子層導入を試みた。