[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[15a-S4_203-1] Development of Semiconductor Device Reconstruction Technology Using Minimal Fab

〇Ryuhei Sekifuji¹, Hiroshige Kogayu¹, Hiroshi Sugiyama¹, Hiroyuki Tanaka², Shuichi Noda², Noriko Miura², Shinichi Ikeda², Hiroyuki Gomyo³, Ichiro Suzuki³, Shiro Hara^1,2 (1.Hundred Semiconductors, 2.AIST, 3.Mach Corporation)

Keywords:

Minimal Fab,Semiconductor Device,Reconstruction Technology

半導体デバイスは、保護膜の直下に形成された微細なセンサや信号処理回路の構造は非常に複雑で、完成したデバイスに対して一部だけエッチングして、別の機能構造を付加するなどということは非常に困難である。本報告では、外部で300mmウェハ上に作製された半導体センサに対し、主要構造に損傷を与えることなく、一部を選択的に除去して新しい積層膜を形成するためのプロセス開発を行ったので報告する。