[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:00 〜 9:15

[15a-S4_203-1] ミニマルファブを用いた半導体デバイス再形成技術の開発

〇関藤 竜平¹、小粥 敬成¹、杉山 広¹、田中 宏幸²、野田 周一²、三浦 典子²、池田 伸一²、五明 博之³、鈴木 市郎³、原 史朗^1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研、3.マッハコーポレーション)

キーワード：

ミニマルファブ、半導体デバイス、再形成技術

半導体デバイスは、保護膜の直下に形成された微細なセンサや信号処理回路の構造は非常に複雑で、完成したデバイスに対して一部だけエッチングして、別の機能構造を付加するなどということは非常に困難である。本報告では、外部で300mmウェハ上に作製された半導体センサに対し、主要構造に損傷を与えることなく、一部を選択的に除去して新しい積層膜を形成するためのプロセス開発を行ったので報告する。