[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[15a-S4_203-2] Development of Multilayer Film Deposition Technology Using Minimal Fab

〇Ryuhei Sekifuji¹, Hiroshige Kogayu¹, Hiroyuki Tanaka², Shuichi Noda², Noriko Miura², Shinichi Ikeda², Hiroyuki Gomyo³, Ichiro Suzuki³, Shiro Hara^1,2 (1.Hundred Semiconductors, 2.AIST, 3.Mach Corporation)

Keywords:

Minimal Fab,Multilayer Film Deposition,Uniformity

半導体デバイスにおいて膜厚を設計値通りに制御することは、デバイスの性能、機能、信頼性等を確保する上で極めて重要である。今回は、膜厚を設計値通りに制御するために、ウェハ面内とウェハ面間の膜厚ばらつきを主たる制御対象とし、スパッタ、プラズマCVD、およびプラズマエッチングのばらつきを評価した。さらに、これらのプロセスを組み合わせた複合プロセスによる積層膜を形成し、各層の膜厚を評価した。