講演情報
[15a-S4_203-2]ミニマルファブを用いた積層膜形成技術の開発
〇関藤 竜平1、小粥 敬成1、田中 宏幸2、野田 周一2、三浦 典子2、池田 伸一2、五明 博之3、鈴木 市郎3、原 史朗1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研、3.マッハコーポレーション)
キーワード：
ミニマルファブ、積層膜形成、ばらつき
半導体デバイスにおいて膜厚を設計値通りに制御することは、デバイスの性能、機能、信頼性等を確保する上で極めて重要である。今回は、膜厚を設計値通りに制御するために、ウェハ面内とウェハ面間の膜厚ばらつきを主たる制御対象とし、スパッタ、プラズマCVD、およびプラズマエッチングのばらつきを評価した。さらに、これらのプロセスを組み合わせた複合プロセスによる積層膜を形成し、各層の膜厚を評価した。