[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[15a-S4_203-5] Formation of Ferroelectric HfN_x Diodes Using Minimal Fab Reactive Sputtering Tool

〇Shuichi Noda¹, Yuuki Yabuta², Naoko Yamamoto², Ryuichiro Kamei², Noriko Miura¹, Shinichi Ikeda¹, Shun-ichiro Ohmi³, Shiro Hara^1,4 (1.AIST, 2.Seinan-kogyo, 3.Science Tokyo, 4.Hundred)

Keywords:

minimalfab,ferroelectrics,reactive sputter

ミニマル反応性スパッタ装置を用いての強誘電性HfN_x薄膜形成を検討している。作製したMFS(Metal-Ferroelectrics-Si)ダイオードの評価から、薄膜の強誘電性が得られる可能性は得ているが、界面リークにより特性が悪かった。今回、フィールド酸化膜による素子分離と犠牲酸化によるSi表面の欠陥除去プロセスにより、界面リーク電流が大幅に減少し、妥当な分極-電圧特性を得ることができた。