講演情報
[15a-S4_203-5]ミニマル反応性スパッタ装置を用いた強誘電性HfNxダイオードの作製
〇野田 周一1、薮田 勇気2、山本 直子2、亀井 龍一郎2、三浦 典子1、池田 伸一1、大見 俊一郎3、原 史朗1,4 (1.産総研、2.誠南工業、3.科学大、4.Hundred Semiconductors)
キーワード：
ミニマルファブ、強誘電体、反応性スパッタ
ミニマル反応性スパッタ装置を用いての強誘電性HfNx薄膜形成を検討している。作製したMFS(Metal-Ferroelectrics-Si)ダイオードの評価から、薄膜の強誘電性が得られる可能性は得ているが、界面リークにより特性が悪かった。今回、フィールド酸化膜による素子分離と犠牲酸化によるSi表面の欠陥除去プロセスにより、界面リーク電流が大幅に減少し、妥当な分極-電圧特性を得ることができた。