[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[15a-S4_203-9] Evaluation of wafer processing using Minimal Fab

〇Tatsuya Fujita¹, Fumito Imura¹, Kazushige Sato², Shiro Hara^1,3 (1.Inc.Hundred Semiconductors, 2.MINIMAL, 3.AIST)

Keywords:

Minimal Fab,wafer,Wafer processing

我々は、局所クリーン化技術を導入することで、クリーンルームが不要となる半導体システム、ミニマルファブを開発してきた。pMOSデバイスであれば数日で作製することが可能な為、デバイスの動作確認をすること自体をウェハ加工の評価と見なすことができる。本報告ではウェハ加工の評価をおこなう為にウェハ加工から始め、pMOSを作製した後、電気的特性の測定を行い、電気的特性で評価することが可能であるかを評価する。