[15a-W2_401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[15a-W2_401-3] RF-MBE growth of InAlN thermoelectric thin films over whole In content range

〇Yuma Sakai¹, Tsutomu Araki², Momoko Deura^1,3 (1.Waseda Univ., 2.Ritsumeikan Univ., 3.R-GIRO)

Keywords:

InAlN,thermoelectric thin film,RF-MBE

窒化物半導体の熱電特性の包括的な解明に向けて、全In組成域InAlN薄膜のRF-MBE成長を行った。供給In組成の変化により、広範なIn組成で、表面平坦かつ相分離のない単一組成・単一配向のInAlN薄膜が得られた。またIn組成が高いと、膜厚増加した際のクラックも抑制された。Al融点より低い成長温度による相分離とAlN系特有の柱状成長起因のクラックがともに高In組成ほど抑制可能と示唆された。