[15a-W2_401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[15a-W2_401-3] 全In組成域InAlN熱電薄膜のRF-MBE成長

〇堺 悠眞¹、荒木 努²、出浦 桃子^1,3 (1.早大理工、2.立命館大理工、3.立命館大R-GIRO)

キーワード：

InAlN、熱電薄膜、RF-MBE

窒化物半導体の熱電特性の包括的な解明に向けて、全In組成域InAlN薄膜のRF-MBE成長を行った。供給In組成の変化により、広範なIn組成で、表面平坦かつ相分離のない単一組成・単一配向のInAlN薄膜が得られた。またIn組成が高いと、膜厚増加した際のクラックも抑制された。Al融点より低い成長温度による相分離とAlN系特有の柱状成長起因のクラックがともに高In組成ほど抑制可能と示唆された。