Presentation Information
[15a-W2_401-4]Fabrication of thermoelectric devices using InGaN thin films
〇Junnosuke Nobe1, Takuya Hoshii2, Mai Awata1, Takuya Miura1, Tsutomu Araki3, Takanobu Watanabe1, Momoko Deura1 (1.Waseda Univ., 2.Science Tokyo, 3.Ritsumeikan Univ.)
Keywords:
thermoelectric device,InGaN
これまで全In組成域InGaN熱電薄膜を成長し熱電特性を明らかにしてきたが、今回In組成20％程度のInGaNを用いた熱電デバイスを初めて作製した。InGaN加工プロセスはGaNプロセスが転用可能であった。InGaNおよびオーミック電極金属の短冊を交互に配置した構造とし、面内で温度差を印加する構造とした。設定温度差に対して線型に起電力が増加し、直列接続の段数によって起電力が制御できた。