講演情報
[15a-W2_401-4]InGaN薄膜を用いた熱電デバイスの作製
〇野邊 淳之介1、星井 拓也2、粟田 舞衣1、三浦 拓也1、荒木 努3、渡邉 孝信1、出浦 桃子1 (1.早大理工、2.東京科学大工、3.立命館大理工)
キーワード：
熱電デバイス、InGaN
これまで全In組成域InGaN熱電薄膜を成長し熱電特性を明らかにしてきたが、今回In組成20％程度のInGaNを用いた熱電デバイスを初めて作製した。InGaN加工プロセスはGaNプロセスが転用可能であった。InGaNおよびオーミック電極金属の短冊を交互に配置した構造とし、面内で温度差を印加する構造とした。設定温度差に対して線型に起電力が増加し、直列接続の段数によって起電力が制御できた。