[15a-W2_401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-W2_401-6] Optimization of growth condition for GaN-based nanowires and multi-quantum shell structure using SiN mask

〇Takuya Takahashi¹, Hiroki Teshima¹, Nakagawa Aoi¹, Kouki Yamada¹, Haruki Hotta¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Koichi Naniwae², Kazumasa Niwa², Kentaro Nonaka³, Yoshitaka Kuraoka³, Takashi Yoshino³, Junya Iihama⁴, Yoshiro Kusunose⁴, Masami Meahita⁴ (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Co., LTD., 3.NGK INSULATORS, LTD., 4.Tosoh Corporation)

Keywords:

nanowire,quantum shell device

本研究では、トンネル接合を用いたn-GaN埋め込み型量子殻レーザーの実現に向け、p-GaN層の被覆性向上によるリーク電流低減を検討した。SiNマスクを用いて異常成長を抑制し、p-GaN層を2段階成長させた結果、各ステップの成長時間を最適化することでナノワイヤ全面が被覆され、I-V特性の改善が確認された。